关于在立方氮化硼薄膜上的MoO3和F4-TCNQ的表面转移掺杂的性质研究

立方氮化硼(cBN)凭借着大的禁带宽度(6-6.4eV)、高强硬度、高的热电导(13W/(cm K))、大的击穿电压(8×106 V/cm)等优良的物化性质在制备高温和高功率电子及深紫外器件领域有着巨大的潜力。而目前通过掺杂手段实现对cBN的电子传输性质的调控研究非常少，而且通过高温高压技术制备得到尺径在微米和毫米范围内的cBN的同样限制了其在电子器件方面的应用。香港城市大学的He Bin等人利用CVD的方法以MoO3和F4-TCNQ为表面掺杂剂合成了p型表面掺杂的cBN异质薄膜，通过控制掺杂剂在薄膜表面的沉积量实现了对cBN电子性能的控制，而且沉积MoO3和F4-TCNQ后的cBN表面电导率比纯净的cBN薄膜高出了3-6个数量级。该成果发表在Appl. Mater. Interfaces杂志上。

左图SEM显示的是cBN薄膜沉积在金刚石包覆的硅衬底上，右图显示的是沉积MoO3层和F4-TCNQ层后cBN的导电性得到明显的提高。

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