BN简报 基于氟化氮化硼纳米管的自旋过滤器

最近密歇根物理实验室的Kamal B.Dhungana和Ranjit Pati对氟化氮化硼纳米管的自旋过滤效应进行了理论研究。他们构建了氟化氮化硼纳米管和非磁金属金电极的形成的源漏极结构模型，计算了氟化氮化硼纳米管的长度、掺杂浓度、界面耦合效应以及不同偏压下的自旋电流电压曲线。得到如下结论：1）氟化氮化硼纳米管的自旋极化率均为99.8%且会随着其长度的增加而增大；2）氟化氮化硼纳米管的自旋极化率与其掺杂浓度没有直接关联，显示出氟化氮化硼的高自旋效率；3）4.1%的掺杂浓度引入的总磁量子数为1 uB，掺杂后的带宽为2.77 eV； 4）有缺陷的氮化硼纳米管以及用H饱和管两端时，自旋极化率进一步提高。这项工作给出了氟化氮化硼纳米管作为自旋过滤器的物理机制，以及影响其自旋过滤效率的参数，为将来进一步设计氟化氮化硼纳米管自旋器件奠定了理论基础。我们在2005年首次从实验上获得了掺杂浓度最高可到5%的氟化氮化硼纳米管，使氮化硼的导电性能提高了两个数量级（J. Am. Chem. Soc. 127, 6552（2005））

• < Prev