新型SiC–SiO2–BN同轴纳米线的大规模合成、形成机理及光学特性
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- 日期： 2015年6月03日
- 作者：Super User
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同轴核-壳异质结构具有许多优良性能，应用于场效应管，激光二极管等。具有这种独特结构的SiC–SiO2–BN在电子运输和在纳米器件上的应用表现出巨大潜力。Guangwu Wen等人采用两步法，以氨硼烷为硼氮源，通过化学气相法在SiC-SiO2同轴纳米线表面包覆了均匀BN层，实现了SiC–SiO2–BN纳米线的大规模合成。荧光光谱分析表明SiC–SiO2–BN具有488.5nm附近的发射峰，相比于SiC–SiO2有轻微的蓝移。由于BN包覆层的保护，SiC–SiO–BN纳米线有望在极端恶劣的环境中作为蓝光发射器得到应用。该文章发表在J. Mater. Chem. 2011, 21, 14432–14440。
