全化学气相沉积法生长MoS2:h-BN垂直范德瓦耳斯异质结构
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- 日期： 2015年6月03日
- 作者：Super User
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近些年来，由两种不同的层状晶体经范德瓦尔兹堆叠形成的垂直异质结构得到了迅速的发展。h-BN具有表面平整、无悬挂键、无带电杂质的优势，将二维材料生长在h-BN表面可以提高二维器件的性能。然而，对于利用CVD方法生长MoS2/h-BN垂直异质结构还存在很多问题：1、如何利用CVD方法合成大尺度的h-BN，2、由于硫与铜发生反应必须将h-BN转移至其他有利于MoS2直接生长在h-BN上的基板上，且转移过程必须保持全程干净，3、生长温度不能过高，等等。牛津大学的Shanshan Wang等人成功利用全CVD方法将单层的MoS2生长在h-BN表面，合成了高质量、大尺度的MoS2/h-BN垂直范德瓦尔兹异质结构。全CVD法生长在h-BN上的MoS2具有更小的晶格应变及更低的掺杂能力，相比于通过逐层聚合物辅助移植法，这种直接CVD方法合成MoS2/h-BN异质结构减少了污染物引入，并且具有更好的层间相互作用。该成果发表在ACS Nano,（2015）10.1021/acsnano.5b00655上。
两种MoS2/h-BN异质结构合成过程示意图和CVD系统生长MoS2的示意图