高密度氮化硼相连多孔框架结构应用于聚合物复合材料的研究
- 详细资料
- 日期： 2018年10月31日
- 作者：Super User
- 点击数：5376
电子、电气设备的密集化、微型化发展，促使现代电子、电气的封装材料/设计向着高散热和理想多功能的性能发展。例如，在除提高聚合物复合材料封装体系的导热能力外，该封装材料同时还应具有好的电绝缘，低的介电、小的热膨胀、耐热变和轻便易加工等特点。六方氮化硼（h-BN）由于其独特的高绝缘、超高热导、轻质、低介电常数和超低热膨胀系数等特点，目前受到散热封装学术界和产业界的高度青睐，是一种高潜质的聚合物复合体系的先进填充体。通过构建高密度各项同性相连、紧密共价结合的三维力学稳健多孔h-BN块体框架结构，使得其能够有效提高多种聚合物基体的热导率，达到空白基体材料的26 ~ 51倍。该h-BN/聚合物复合体系的多孔性，导致聚合物复合体系的体密度比空白聚合物基体低5.5 ~ 24 wt.%。同时维持了不高的介电常数和超低的介电损耗值。另外，，该复合体系的热膨胀系数相对于空白聚合物基体能降低66 ~ 87%。该BN/聚合物复合体系展现出了可应用于电子、电气散热封装领域的潜在多功能实用性。相关的研究内容发表于 Adv. Funct. Mater., 2018, 28, 1801205.
